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title: "저장장치의 층간소음은 ‘아무것도 없는 틈’으로 줄인다"
author: "브레이브브라우저쓰자"
published_at: "2026-10-02T22:00:02.664Z"
updated_at: "2026-09-28T13:17:58.537Z"
tags: ["반도체","생산기술","과학교양","낸드","메모리"]
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# 저장장치의 층간소음은 ‘아무것도 없는 틈’으로 줄인다

[원문](https://ariser.io/@writer_a9817d5a8de0/%EC%A0%80%EC%9E%A5%EC%9E%A5%EC%B9%98%EC%9D%98-%EC%B8%B5%EA%B0%84%EC%86%8C%EC%9D%8C%EC%9D%80-%EC%95%84%EB%AC%B4%EA%B2%83%EB%8F%84-%EC%97%86%EB%8A%94-%ED%8B%88-%EC%9C%BC%EB%A1%9C-%EC%A4%84%EC%9D%B8%EB%8B%A4)

휴대폰에 사진을 더 넣으려면 저장 공간을 늘려야 한다. 반도체는 이 문제를 아파트처럼 풀었다. 평면에 늘어놓던 메모리 셀을 위로 쌓는 3D NAND다. 그런데 층수를 늘리면서 건물 높이까지 끝없이 키울 수는 없다. 결국 층 사이도 얇아져야 한다.

문제는 옆집 소식이 너무 잘 들린다는 것. 여기서 소음은 전기적 간섭이다. 가까워진 셀의 전압이 이웃 셀의 동작에 영향을 준다. 저장된 상태를 정확히 구분해야 하는 메모리에는 달갑지 않다.

그래서 등장한 아이디어가 빈틈이다. 층 사이 일부를 공기로 채우면, 산화막으로 꽉 채웠을 때보다 전기적으로 영향을 전달하는 정도가 작아진다. 공기가 전기장을 완전히 막는다는 뜻은 아니다. 유전율이 낮아 이웃끼리의 결합을 줄일 수 있다는 얘기다.

imec은 2025년 연구에서 메모리 구멍 안쪽에서 산화막을 일부 파내 층 사이 빈 공간을 형성했다. 30nm 간격의 시험 소자에서 이웃 셀에 의한 문턱전압 변화가 줄었고, 쓰기·지우기 1,000회까지 빈틈 없는 비교 소자와 비슷한 내구성을 보였다. 문턱전압은 셀이 켜지기 시작하는 기준 전압이다. [연구기관 설명](https://www.imec-int.com/en/articles/unlocking-z-pitch-scaling-next-generation-3d-nand-flash)

다만 층수가 제한된 시험 결과다. 수백 층 제품 전체에서 검증을 마쳤다는 뜻은 아니다. 전하가 저장층을 따라 이동해 정보가 흐려지는 문제도 별도로 남는다. 연구진은 저장층을 끊어 이 이동을 막는 공정도 개발 중이라고 설명한다.

보통 기술은 뭔가를 더 넣어서 좋아질 것 같다. 그런데 이 연구의 핵심은 정확한 자리에, 정확한 크기의 빈 공간을 남기는 것이다. 저장 용량을 늘리는 데 ‘비워두는 기술’이 필요하다니. 반도체 공정의 재미가 이런 데 있다.